射頻功率放大器是5G基站中不可或缺的組成部件，通常會被設計成模塊安裝在整機中，盡可能的減少對其他部件的影響。由于射頻功率放大器在進行持續高速的工作時，射頻功率放大器內會產生大量熱量，而常規的射頻功率放大器在工作過程中不能夠進行快速穩定的散熱工作，進而不能確保后續持續工作的穩定性，如果通過開孔進行散熱，則散熱效率低，且外界空氣中的雜質與灰塵容易堵塞散熱孔。

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       隨著電力電子裝置的小型化發展以及功率密度的提高，設備的溫度對其安全可靠運行影響很大。由于功率器件的失效率隨器件溫度呈指數關系增長，在實際工作中可能會因為熱量不能及時排出或分布不均導致器件溫度過高甚至燒毀，影響電路的可靠性和壽命。同時，功率器件的熱性能也對功率放大器的輸出失真有一定的影響。

       射頻功放的發熱量較高，一般芯片底部會直接焊到金屬基板上進行散熱，芯片頂部與設備外殼之間則利用導熱硅膠片來填充，形成連續的導熱通路。導熱系數從1.2~25.0W/mK；防火等級UL94V0；多種厚度硬度選擇：0.5mm-5.0mm；使用溫度范圍：-40 To 160 ℃。軟性導熱硅膠片在一定的壓縮下滿足縫隙填充的需求，保持導熱性能不變，可迅速的將熱量傳導至外殼，達到一個很好的散熱目的。